現代電子產品的核心元件就是電晶體，隨著元件不斷地縮小，傳統矽基電晶體的製程與效能已逐漸接近極限。為突破這個瓶頸，來自英國和加拿大的國際研究團隊利用量子干涉效應，成功研發出單分子電晶體原型。新型電晶體管不僅開關效率更高，更具備低耗能和高可靠度等優點，有望應用於下一代電子元件。

科技的發展讓電子元件不斷微型化，但傳統矽基電晶體在奈米尺度下會面臨諸多限制，如量子效應導致漏電流問題。因此，研究人員正試圖尋求新型切換機制與材料，克服矽基電晶體的瓶頸。研究團隊採用了量子干涉原理，製造出一種全新的單分子電晶體管設計。

這種新型電晶體的核心是一個單一鋅卟啉(zinc porphyrin)分子，將其置於兩片石墨烯電極之間。利用量子干涉效應，透過調控施加電壓，就能控制電子在穿過分子時發生建設性(On)或破壞性(Off)干涉，實現精確的開關切換。與傳統矽基電晶體管不同，這種量子干涉設計可有效消除漏電流的問題。

研究人員發現，這種單分子電晶體具有極高的開關比，能夠精準地切換開關狀態，同時擁有卓越的穩定性和可靠度，一個單分子電晶體就能經歷數十萬次的開關循環運作而不會損壞。此外，量子干涉效應還有助於降低電晶體的亞閾值擺幅(Subthreshold swing)，提高了電晶體的效率。

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